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本发明属于半导体元器件技术领域，具体涉及一种准垂直二极管的制备方法，包括以下具体步骤：选取蓝宝石或碳化硅作为衬底层；在衬底层上，生长缓冲层,然后依次生长沟道层、氮化铝薄膜以及超晶格匹配的势垒层，从而形成3
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该专利属于江苏芯港半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏芯港半导体有限公司授权不得商用。

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