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本发明属于半导体元器件技术领域，具体涉及一种GaN基HEMT器件的外延结构，包括硅衬底以及依次从硅衬底表面生长的AlN层、AlGaN位错复合调控层、高阻GaN外延层、GaN沟道层、AlGaN势垒层以及GaN帽层；所述AlGaN位错复合调控层...
该专利属于江苏芯港半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏芯港半导体有限公司授权不得商用。

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