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本公开提供了一种发光二极管及其制备方法，属于半导体器件领域。该发光二极管包括：包括：依次层叠的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包括第一超晶格层，第一超晶格层为周期性层叠的Si
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该专利属于华灿光电（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（苏州）有限公司授权不得商用。

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