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本公开实施例提供一种晶体管器件制造方法以及晶体管器件，其中，所述晶体管器件制造方法包括：向位于电学打断EB区域中的至少一个第一晶体管的沟道注入与所述第一晶体管类型不同的掺杂离子，和/或，向位于所述EB区域外的至少一个第二晶体管的沟道注入与所...
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