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本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层中包括用于形成沟槽栅极结构的栅极区域；掩膜层，覆盖部分所述栅极区域以及与该部分栅极区域邻接的外延层，所述掩膜层的...
该专利属于飞锃半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞锃半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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