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本发明提供一种GaN基LED外延片及外延生长方法、LED芯片，通过设置沿外延生长方向依次沉积的N型掺杂GaN层、第一未掺杂GaN间隔层、第一N型掺杂BGaN层、第二未掺杂GaN间隔层以及第二N型掺杂BGaN层组成的N型复合层，由于N型掺杂G...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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