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本发明提供一种垂直型双极性结型晶体管及其制作方法,该方法包括以下步骤:提供一基底,基底包括自下而上依次层叠的衬底层、第一绝缘层、中间层、第二绝缘层及器件层,将器件层转变为绝缘介质层,形成第一、第二沟槽于绝缘介质层中,形成第三、第四沟槽于第二...该专利属于微龛(广州)半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过微龛(广州)半导体有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种垂直型双极性结型晶体管及其制作方法,该方法包括以下步骤:提供一基底,基底包括自下而上依次层叠的衬底层、第一绝缘层、中间层、第二绝缘层及器件层,将器件层转变为绝缘介质层,形成第一、第二沟槽于绝缘介质层中,形成第三、第四沟槽于第二...