温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种膜层穿孔的形成方法、半导体器件及芯片，涉及半导体技术领域。该膜层穿孔的形成方法包括：在膜层上开孔(S1)；在孔内填充铜和锡，以形成铜层和锡层(S2)；对铜层和锡层退火，以使部分铜和部分锡生成金属间化合物，填有铜层和锡层，且具有金属间化合...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。