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本发明公开了半导体功率器件领域的一种PN结制备方法、半导体器件的制作方法，旨在解决现有工艺制成的PN结漏电流偏大的技术问题。其包括在N型衬底表面生长牺牲氧化层；向含牺牲氧化层面的N型衬底注入P型杂质，并在氮气气氛中推进P型杂质形成PN结；腐...
该专利属于南瑞联研半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过南瑞联研半导体有限责任公司授权不得商用。

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