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一种形成层间接触的方法,包括:提供具有沟槽的第一材料层以及填满所述沟槽并覆盖第一材料层表面的第二材料层;使用第一蚀刻步骤蚀刻第二材料层至曝露出第一材料层;使用第二蚀刻步骤继续蚀刻第一材料层至第一材料层的沟槽中的第二材料层露头形成第二材料插塞...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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