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本发明涉及一种纳米技术领域的无损伤原位构建纳米结点的方法，步骤为：对单壁碳纳米管进行纯化；用旋涂的方法将单壁碳纳米管沉积到硅基底上，加热后除去有机表面活性剂；采用原子力显微镜探针，蘸取金属前躯体后，在轻敲模式对分散在基底上的纳米管的成像，选...
该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

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