温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种热电分离的AlGaInP LED芯片及制作方法，该制作方法包括以下步骤：在GaAs基板上生长外延片；在外延片上沉积介质层并制作出接触孔；沉积第一键合层金属；制作高导热绝缘层金属基板；在高导热绝缘层金属基...
该专利属于南昌凯捷半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南昌凯捷半导体科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。