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半导体结构及其制备方法技术
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文档序号:38058873
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本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法,该半导体结构包括:衬底,所述衬底内设置有隔离结构及所述隔离结构限定的有源区;字线结构,至少部分设置在所述衬底内,且沿平行于所述衬底表面的方向穿过所述有源区与所述隔离结构,在垂直所述衬底表面的方向,...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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