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本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括位于衬底之上的字线堆叠和垂直穿过字线堆叠的垂直沟道柱，字线堆叠包括交替堆叠的多个层间绝缘层和多个字线。垂直沟道柱包括核心绝缘层、围绕核心绝缘层的侧表面的沟道层、以及围绕沟道层的侧表...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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