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Ga2O3/SiTOPCon光伏电池及制备方法技术
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文档序号:37993824
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本发明公开了一种Ga2O3/Si TOPCon光伏电池,包括n型硅片,n型硅片背面由近到远依次设置有隧穿层、n型多晶硅层、背电极;n型硅片正面由近到远依次设置有本征β
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该专利属于西安理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过西安理工大学授权不得商用。
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