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一种栅电介质材料立方相ＨｆＯ↓［２］薄膜及其制备方法，通过掺杂Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］获得稳定的立方相的ＨｆＯ↓［２］薄膜，Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］的掺杂量的摩尔百分比为０到２８之间，所述ＨｆＯ↓［２］在常温下为立方相，介电常数２７．２。栅电介质材...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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