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本发明提供一种深沟槽隔离光电二极管的制造方法，提供衬底，在衬底上形成N型外延层以及位于N型外延层上的刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层，使得其下方的刻蚀阻挡层裸露，光刻胶层上打开的区域包括第一、二区域，每四个第一区域沿...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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