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本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，栅电极经由栅极绝缘膜被形成在沟槽内部。在半导体衬底上形成的栅极绝缘膜被去除。绝缘膜被形成在半导体衬底上。p型基极区被形成在半导体衬底中。n型发射极区被形成在基极区中。对半导体衬底执行氢退火工艺。基极区与...
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