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本实用新型公开了一种ESD器件结构，包括P型衬底，P型衬底上设置有第三N+区、第四N+区、第三P+区和第二栅极；P型衬底上还设置有N阱区，N阱区上设置有第一N+区、第一P+区、第二P+区、第二N+区和第一栅极；第一P+区连接I/O端，第一N...
该专利属于无锡华众芯微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华众芯微电子有限公司授权不得商用。

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