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本发明公开了一种GaN电子器件结构及其制备方法与应用。所述GaN电子器件结构包括外延结构和源、漏、栅电极，所述外延结构包括沟道层和势垒层，所述沟道层与势垒层之间形成有二维电子气，所述源电极与漏电极经所述二维电子气电连接；所述栅电极的栅足在沟...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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