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本发明属于阻变存储器件技术领域，具体为一种基于二维离子导电体的阈值转变器件及其制备方法。本发明器件自上而下依次为衬底、氧化物层、底电极、二维离子导电体功能层、少层石墨烯、顶电极；其中，氧化层为SiO2,底电极为Cr和Cu电极，二维离子导电体...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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