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本申请公开了一种垂直结构深紫外LED器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，本申请的垂直结构深紫外LED器件的制备方法包括：提供复合衬底，并在复合衬底上形成发光外延片；刻蚀发光外延片形成纳米孔洞，形成光子晶体结构，在纳米孔洞内沉积第一钝化...
该专利属于广东省科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过广东省科学院半导体研究所授权不得商用。

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