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一种半导体器件结构及其制造方法、DRAM和电子设备技术
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文档序号:37793334
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一种半导体器件结构及其制造方法、DRAM和电子设备,所述半导体器件结构包括:衬底;多个存储单元列,每个所述存储单元列均包括沿第一方向堆叠设置在所述衬底一侧的多个存储单元,所述多个存储单元列在所述衬底上沿第二方向和第三方向排列形成阵列;所述存...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有,仅供学习研究参考,未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。
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