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一种半导体器件结构及其制造方法、DRAM和电子设备，半导体器件结构包括衬底、分别设置在所述衬底第一侧和第二侧的外围电路区和存储区，所述外围电路区和所述存储区电连接；所述外围电路区包括外围电路，所述存储区包括：金属互连层；多个存储单元列，每个...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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