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本发明属于氮化硼薄膜制备技术领域，具体涉及一种化学气相沉积制备氮化硼薄膜的方法。本发明提供的方法：在流动的载气的保护中，将含氮硼前驱体加热进行预处理，将衬底加热，将预处理含氮硼前驱体加热分解，在预热半导体衬底表面生长氮化硼，得到的初始氮化硼...
该专利属于中国工程物理研究院材料研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院材料研究所授权不得商用。

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