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一种基于N掺杂CNT构造C@MoSe2@NCNT材料的合成方法技术
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下载一种基于N掺杂CNT构造C@MoSe2@NCNT材料的合成方法的技术资料
文档序号:37617046
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本发明公开了一种涉及钠离子电池负极材料的合成方法,特别涉及一种基于N掺杂CNT构造C@MoSe2@NCNT材料的合成方法,N掺杂CNT中,N的掺入会增加表面的自由电子数,从而提高导电性,也会一定程度上提高NNMWCNT的吸附能力。本发明方以...
该专利属于湖南大学所有,仅供学习研究参考,未经过湖南大学授权不得商用。
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