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本申请公开了一种接触结构的形成方法、半导体结构及存储器，所述方法包括：提供基底，在所述基底上形成牺牲层；对所述牺牲层进行图形化处理，在所述牺牲层中形成暴露所述基底的第一间隙；在所述第一间隙中沉积介质层；去除所述牺牲层，在所述介质层之间形成第...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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