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本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成电容基板，所述电容基板包括多个电容转接结构以及位于相邻所述电容转接结构之间的间隙；形成至少覆盖所述电容转接结构顶面的保护层；形成填充满所述间隙并覆盖所述保护层表...
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