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根据本发明构思的集成电路器件可以包括嵌入在基板中的多个栅极结构、在所述多个栅极结构之间在基板上的直接接触、以及在直接接触上的位线电极层。位线电极层具有约10nm至30nm的厚度。位线电极层可以包括钼钨(MoW)合金，该MoW合金包括约25a...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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