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本发明公开了一种局部应变硅LDMOS器件及其制作方法。所述LDMOS器件包括第一导电类型的体区和第二导电类型的漂移区，所述体区中形成有第二导电类型的源区，所述漂移区中形成第二导电类型的漏区，所述漂移区的内部还形成有沿源漏方向分布的应变区，其...
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