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本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括提供基底；在基底上形成初始有源层和第一掩膜层；图形化第一掩膜层，以在第一掩膜层内形成多个第一凹槽和多个第二凹槽，第一凹槽沿第一方向的尺寸大于第二凹槽沿第二方...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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