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本发明提供一种LED芯片及制备方法，所述LED芯片包括外延片，外延片包括衬底及在衬底上自下而上设置N型GaN层、MQW有源层及P型GaN层，P型GaN层中的掺杂元素为Mg，通过向P型GaN层内注入氢离子，以于P型GaN层内形成高电阻层，高电...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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