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非易失性存储装置及其操作方法制造方法及图纸
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文档序号:3751100
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本发明提供了非易失性存储装置及其操作方法。其中,非易失性存储装置包括:编码器,被配置为对输入数据执行加扰操作;数字和值(DSV)发生器,被配置为生成表示在由编码器编码的输入数据中数据‘0’的数量和数据‘1’的数量之差的DSV;存储单元阵列的...
该专利属于海力士半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。
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