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公开了用于在衬底上形成膜的方法和系统。示例性方法包括使用第一等离子体条件形成具有良好膜厚度均匀性的沉积材料层，使用第二等离子体条件处理沉积材料并由此形成处理过的材料，以及使用第三等离子体条件形成表面改性层，例如处理过的材料上的反应位点。例如...
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