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本申请提供一种选择性发射极的制备方法和太阳能电池。该制备方法包括步骤：提供硅衬底；对硅衬底的受光面进行掺杂处理，以形成掺杂层和覆盖掺杂层的掩膜层；对掩膜层进行刻蚀，以形成图案化的掩膜层，图案化的掩膜层覆盖电极区的掺杂层，并暴露出非电极区的掺...
该专利属于天合光能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天合光能股份有限公司授权不得商用。

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