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本发明涉及一种双向可控硅器件的制备方法及双向可控硅器件，涉及半导体技术领域，器件包括：第一导电类型的半导体材料、场氧化层、第二导电类型的第一阱区、第二阱区、第三阱区和第四阱区、每一场氧化层的两侧形成的侧墙结构、第一导电类型的第一至第三重掺杂...
该专利属于上海维安半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海维安半导体有限公司授权不得商用。

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