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本发明公开了一种集成太阳能电池和CMOS电路的光电探测器及制造方法，该光电探测器包括由下至上的硅衬底和氧化层；其中，所述硅衬底和所述氧化层包括CMOS集成电路区域、探测器区域和硅太阳能电池区域。本发明通过修改硅衬底上浅沟槽隔离的成熟CMOS...
该专利属于上海铭锟半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海铭锟半导体有限公司授权不得商用。

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