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本实用新型公开了一种集成电路的大功率旁路电容结构和功放芯片，电容结构包括：衬底，所述衬底开设有通孔；GaN外延层，设置于所述衬底上方，并覆盖所述通孔上；下电极层，设置在所述通孔内部；上电极层，设置在所述GaN外延层上方并位于所述通孔上方。本...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

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