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本发明公开了制备氮化硼纳米管的方法、纳米材料、半导体器件及装置，方法包括：原位硼源实现：经过清洗并抛光的金属基底，在金属基底表面形成原位硼源，金属基底选自熔点温度高于氮化硼纳米管生长温度的，原位硼源为采用渗硼处理得到；纳米管生长：准备催化剂...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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