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公开热涂层结构、热辐射结构和纳米结构器件。所述纳米结构器件包括基底和形成在基底的至少顶表面上并与基底的至少顶表面接触的多个纳米结构。所述多个纳米结构基本上均匀地分布在基底的预定区域上，大量的纳米结构具有大于或等于1的标称纵横比，并且所述多个...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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