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本公开提供了一种石墨基座和发光二极管的制备方法，属于外延生长技术领域。该石墨基座的表面具有开口，所述开口为非圆形。本公开能提高石墨基座中生长的外延片的波长良率。能提高石墨基座中生长的外延片的波长良率。能提高石墨基座中生长的外延片的波长良率。...
该专利属于华灿光电（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（苏州）有限公司授权不得商用。

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