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本实用新型公开了一种包覆型多金属导电凸块结构,包括衬底、第一保护层、第二保护层、第一种子层、第二种子层、第一金属层、第二金属层和第三金属层,衬底顶部四周环绕设置第一保护层,第一保护层的顶部设有第二保护层,第一种子层设置在衬底和第一保护层上,...该专利属于江苏芯德半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江苏芯德半导体科技有限公司授权不得商用。
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