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沟槽栅极金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法技术
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文档序号:37368214
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一种金属氧化物半导体场效应晶体管,包括具有第一主表面的半导体主体和从第一主表面延伸到半导体主体中并连接到栅极区的沟槽;半导体主体包括:具有第一导电类型的源极区,其在第一主表面处与沟槽的侧壁相邻;具有第一导电类型的漏极区,其在远离源极区的位置...
该专利属于安世有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过安世有限公司授权不得商用。
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