温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供一种晶体管特性不均匀少的半导体装置。该半导体装置包括第一器件层至第n(n为2以上的自然数)器件层，该器件层分别包括第一阻挡绝缘膜、第二阻挡绝缘膜、第三阻挡绝缘膜、氧化物半导体器件、第一导电体及第二导电体，第一器件层至第n器件层中，在第一...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。