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一种MEMS(微机电系统)谐振器包括第一单晶硅层(L1)、第二单晶硅层(L3)、以及在所述第一单晶硅层和所述第二单晶硅层之间的压电层(L2)。MEMS谐振器的制造方法包括通过晶片键合制造在单晶硅层与压电层之间的界面中的至少一者。一者。一者。...
该专利属于京瓷帝基廷公司所有，仅供学习研究参考，未经过京瓷帝基廷公司授权不得商用。

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