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本发明提供一种场操控可调的光电灵敏性探测器件、制备方法及其应用，覆盖有二氧化硅的硅衬底上通过干法转移二硫化钨纳米片，二硫化钨纳米片上制备场操控电极，两端制备源漏电极，二硫化钨纳米片用作场操控电极和两端源漏电极的光敏导电沟道，施加电压至场操控...
该专利属于国科大杭州高等研究院所有，仅供学习研究参考，未经过国科大杭州高等研究院授权不得商用。

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