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本发明提供一种高电子迁移率晶体管装置，包括衬底、半导体堆叠层、栅极、源极、漏极以及第一肖特基电极。半导体堆叠层设置于衬底上。栅极设置于半导体堆叠层上。源极与漏极分别电连接半导体堆叠层。源极、栅极与漏极沿着第一方向依序排列。第一肖特基电极与半...
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