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减轻冲击应力的存储器模块制造技术
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文档序号:3719914
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本发明是有关于一种减轻冲击应力的记忆体模组,主要包含一多层印刷电路板、复数个记忆体封装件以及一应力吸收被覆层。该些记忆体封装件是设置于该多层印刷电路板的至少一表面。该应力吸收被覆层是至少形成于该多层印刷电路板的两短侧边并延伸至其上下表面,藉...
该专利属于力成科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过力成科技股份有限公司授权不得商用。
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