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本申请涉及半导体光刻工艺领域，特别是涉及一种图形边界缺陷处理方法包括：获取待处理图形，待处理图形包括器件单元图形及背面图形，器件单元图形内及至少部分背面图形内具有Sbar标记；选取具有Sbar标记的背面图形及与选取的背面图形临接的器件单元图...
该专利属于锐立平芯微电子（广州）有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过锐立平芯微电子（广州）有限责任公司授权不得商用。

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