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本发明提供了一种半导体结构及其制作方法。该半导体结构包括：具有第一表面的衬底；位于衬底中的多个浅沟槽隔离结构，相邻浅沟槽隔离结构之间具有第一区域或第二区域，每个浅沟槽隔离结构靠近第一区域的一侧端部具有第一凹陷部，靠近第二区域的一侧端部具有第...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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